Układ półprzewodnikowy SAMSUNG Bar Plus 64GB to przykład wysoce rygorystycznego podejścia do wytrzymałości mechanicznej urządzeń przenośnych. Zewnętrzna skorupa urządzenia została ukształtowana w procesie ciśnieniowego wtrysku, tworząc jednorodną, monolityczną bryłę ze stopu twardego metalu (architektura unibody). Taka konstrukcja zapewnia potężną wytrzymałość na siły zgniatające, wykluczając ryzyko pęknięcia laminatu przy przypadkowym nadepnięciu lub upuszczeniu na posadzkę w hali produkcyjnej. Wnętrze skrywa zaawansowane kości pamięci z fabryk Samsunga, które osłonięto technologią izolacyjną zabezpieczającą obwody przed wnikaniem wody, falami magnetycznymi oraz promieniowaniem rentgenowskim emitowanym na lotniskach.
Za sprawny obieg informacji odpowiada interfejs USB-A zintegrowany z kontrolerem magistrali USB 3.2 Gen 1. Parametry odczytu sekwencyjnego dla woluminu o pojemności 64 GB potrafią szybować do 300 MB/s. Co istotne, ciężki, metalowy szkielet obudowy odgrywa tu rolę potężnego, pasywnego radiatora. Ciepło generowane przez mikrokontroler podczas zrzucania wielogigabajtowych archiwów jest natychmiast transferowane na obudowę. Pozwala to na drastyczne opóźnienie wdrożenia algorytmów zrzutu wydajności (throttlingu), stabilizując liniową krzywą zapisu przy długotrwałym obciążeniu wejścia-wyjścia (I/O).
| Pojemność nominalna woluminu | 64 GB |
| Zintegrowane złącza komunikacyjne | USB-A |
| Obsługiwany standard interfejsu | USB 3.2 Gen 1 |
| Maksymalna prędkość odczytu | do 300 MB/s |



