SAMSUNG FIT Plus 128 GB

Układ półprzewodnikowy SAMSUNG FIT Plus 128 GB implementuje założenia inżynierii „plug-and-stay”, redukując gabaryty zewnętrzne do mikroskopijnego obrysu typu nano. Forma wtyku po zaaplikowaniu w gniazdo magistrali wystaje poza płaszczyznę obudowy na głębokość ułamków centymetra. Zjawisko to niemal całkowicie zdejmuje problem dźwigni fizycznej, zapobiegając nieodwracalnemu wyłamaniu miedzianych pinów z płyty głównej przy gwałtownym przesuwaniu stacji roboczej lub transporcie ultrabooka w wąskim etui. Szkielet osłony wymodelowano z zagęszczonego polimeru wzmocnionego strukturami autorskiej izolacji (technologia 5-proof), która uszczelnia płytkę drukowaną przed penetracją wody, działaniem pola magnetycznego aparatów MRI oraz promieniowaniem Roentgena.

Mimo skrajnej miniaturyzacji formatu, wewnętrzny procesor obsługuje standard przesyłowy USB 3.2 Gen 1 za pośrednictwem gniazda USB-A. Wykorzystanie zoptymalizowanych kości pamięci z fabryk Samsunga winduje teoretyczne, sprzętowe prędkości odczytu do zjawiskowych 400 MB/s. Redukcja płaszczyzny zewnętrznej pociąga za sobą jednak twarde konsekwencje w strefie wymiany cieplnej. Całkowity brak metalowego radiatora zmusza elektronikę do szybkiego kumulowania energii w obrębie głowicy. Wywołuje to samoczynną aktywację procedur throttlingu termicznego, które drastycznie dławią przepustowość obwodów podczas zapisywania bardzo ciężkich i ciągłych archiwów wideo.